信息学部电子与信息工程学院“先进电子材料与器件”系列专题学术报告

发布时间:2023-04-18浏览次数:363

报告题目GaN基宽禁带半导体的大失配外延和缺陷控制

报告人:  教授

报告时间:202342114:30-15:30

报告地点:电子与信息工程学院4B303

内容摘要:III族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和高频、高功率电子器件领域具有重大应用价值。过去20年,以蓝白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国家经济和人民生活有重要影响的高技术产业。近年来AlGaN基深紫外LEDSi衬底上 GaN基功率电子器件发展迅速,受到了学术界和产业界的高度重视。目前蓝宝石或Si衬底上的大失配异质外延是制备AlGaN基深紫外LEDGaN基功率电子器件的主流方法,由此导致的高缺陷密度、大残留应变严重制约着器件的性能提升和应用推广。本报告将首先介绍GaN基第三代半导体技术和产业的发展概况,然后分析GaN基大失配异质外延的物理本质和面临的关键科学技术问题,接着主要介绍近年来北京大学在在上述领域取得的研究进展,主要包括:(1蓝宝石衬底上AlN薄膜及其AlGaN基量子阱的外延生长和p型掺杂;(2Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷研究。希望借此次交流加强和正规的网投平台【中国】有限公司官网,同行的学术交流和合作,共同推动我国GaN基第三代半导体材料和器件的发展和进步。

报告人简介:沈波,北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教育部长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人。曾任国家973计划项目首席科学家、863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长。现为国家十三五计划“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员、十四五计划“新型显示和战略性先进电子材料”重点专项第三代半导体方向专家组组长,并担任国家第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长,享受国务院特殊津贴。

沈波教授1995年迄今一直从事GaN基第三代半导体材料、物理和器件研究,在GaN基薄膜和量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、 GaN基射频和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果。先后主持参加了20多项国家级科研项目,发表SCI论文300多篇,出版中英文专著4部,获得/申请国家发明专利80多件,在国内外学术会议邀请报告30多次。先后与华为、京东方、彩虹集团、广东光大集团等开展了技术合作, 部分成果实现了产业化应用。先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。 

(撰稿人:李秀艳;审核人:牛萍娟)

 

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